西門康IGBTSKM50GB063D兩單元封裝,芯片使用SPT技術(shù),飽和壓降約為2.0伏左右,開關(guān)損耗比NPT技術(shù)的IGBT模塊降低20%左右，西門康IGBTSKM50GB063D完全可以在逆變焊機中使用,西門康IGBTSKM50GB063D可以使用在315安到500安的電焊機中,.5千瓦以上的變頻器中等。

SKM50GB123D、SKM75GB123D、SKM75GB124D、SKM100GB123D、SKM100GB124D、SKM145GB123D、
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