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西門康IGBT的研發進展（二）
日期：2025-09-21 06:31
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摘要：
1、NPT-IGBT
NPT（非傳統型）--西門康IGBT采用薄硅片技術，以離子注進發射區代替高復雜、高本錢的厚層高阻外延，可降低生產本錢25%左右，耐壓越高本錢差越大，在性能上更具有特色，高速、低損耗、正溫度系數，無鎖定效應，在設計600—1200V的IGBT時，NPT—IGBT可靠性*高。市面上有些公司可提供600V、1200V、1700V系列產品和6500V高壓IGBT，并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT，NPT型正成為IGBT發展方向。
2、SDB--IGBT
鑒于目前廠家對西門康IGBT的開發非常重視，采用SDB（硅片直接鍵合）技術，在IC生產線上制作第四代高速IGBT及模塊系列產品，特點為高速，低飽和壓降，低拖尾電流，正溫度系數易于并聯，在600V和1200V電壓范圍性能優良，分為UF、RUF兩大系統。
3、超快速IGBT
研發重點在于減少西門康IGBT的拖尾效應，使其能快速關斷，研制的超快速IGBT可*大限度地減少拖尾效應，關斷時間不超過2000ns，采用特殊高能照射分層技術，關斷時間可在100ns以下，拖尾更短，重點產品專為電機控制而設計，現有6種型號，另可用在大功率電源變換器中。
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