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DYNEX（快恢復(fù)二極管）的導(dǎo)電特性 DYNEX（快恢復(fù)二極管）*重要的特性就是單方向?qū)щ娦浴Ｔ陔娐分校娏髦荒軓亩O管的正極流入，負極流出。正向特性：在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負極接在低電位端，二極管就會導(dǎo)通，這種連接方式，稱為...發(fā)布時間：2014-12-07 點擊次數(shù)：811 次
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DYNEX（快恢復(fù)二極管）的常規(guī)檢測和注意事項 常規(guī)檢測方法 DYNEX（快恢復(fù)二極管）在業(yè)余條件下，利用萬用表能檢測快恢復(fù)、超快恢復(fù)二極管的單向?qū)щ娦裕约皟?nèi)部有無開路、短路故障，并能測出正向?qū)▔航怠Ｈ襞湟哉讱W表，還能測量反向擊穿電壓。實例...發(fā)布時間：2014-12-04 點擊次數(shù)：774 次
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DYNEX（快恢復(fù)二極管）的反向恢復(fù)時間 反向恢復(fù)時間（tr）的定義：電流通過零點由正向轉(zhuǎn)換到規(guī)定低值的時間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術(shù)指標。IF為正向電流，IRM為*大反向恢復(fù)電流。Irr為反向恢復(fù)電流，通常規(guī)定Irr=0....發(fā)布時間：2014-12-03 點擊次數(shù)：945 次
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BUSSMANN熔斷器與斷路器的區(qū)別 他們相同點是都能實現(xiàn)短路保護，BUSSMANN熔斷器的原理是利用電流流經(jīng)導(dǎo)體會使導(dǎo)體發(fā)熱，達到導(dǎo)體的熔點后導(dǎo)體融所以斷開電路保護用電器和線路不被燒壞。它是熱量的一個累積，所以也可以實現(xiàn)過載保護。一旦熔體...發(fā)布時間：2014-11-20 點擊次數(shù)：819 次
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BUSSMANN熔斷器的相關(guān)特點 熔體額定電流不等于熔斷器額定電流，熔體額定電流按被保護設(shè)備的負荷電流選擇，BUSSMANN熔斷器額定電流應(yīng)大于熔體額定電流，與主電器配合確定。 BUSSMANN熔斷器熔斷器主要由熔體、外殼和支座3部...發(fā)布時間：2014-11-18 點擊次數(shù)：796 次
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DYNEX（二極管）的主要作用 DYNEX（二極管）又稱晶體二極管,簡稱二極管(diode)，另外，還有早期的真空電子二極管；它是一種具有單向傳導(dǎo)電流的電子器件。 DYNEX（二極管）是*常用的電子元件之一，他*大的特性就是單向?qū)?..發(fā)布時間：2014-11-16 點擊次數(shù)：1286 次
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DYNEX（二極管）的介紹 DYNEX（二極管）又稱晶體二極管,簡稱二極管(diode)，另外，還有早期的真空電子二極管；它是一種具有單向傳導(dǎo)電流的電子器件。在半導(dǎo)體二極管內(nèi)部有一個PN結(jié)兩個引線端子，這種電子器件按照外加電壓的方...發(fā)布時間：2014-11-13 點擊次數(shù)：1013 次
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西門康IGBT的研發(fā)進展（三） 1、IGBT/FRD 在西門康IGBT基礎(chǔ)上推出兩款結(jié)合FRD（快速恢復(fù)二極管）的新型器件，IGBT/FRD有效結(jié)合，將轉(zhuǎn)換狀態(tài)的損耗減少20%，采用TO—247外型封裝，額定規(guī)格為1200V、25...發(fā)布時間：2014-11-11 點擊次數(shù)：801 次
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西門康IGBT的研發(fā)進展（二） 1、NPT-IGBTNPT（非傳統(tǒng)型）--西門康IGBT采用薄硅片技術(shù)，以離子注進發(fā)射區(qū)代替高復(fù)雜、高本錢的厚層高阻外延，可降低生產(chǎn)本錢25%左右，耐壓越高本錢差越大，在性能上更具有特色，高速、低損耗、正溫度...發(fā)布時間：2014-10-29 點擊次數(shù)：961 次
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西門康IGBT的研發(fā)進展（一） 西門康IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導(dǎo)體場控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性的器件的低電阻于一體，具有輸進阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各...發(fā)布時間：2014-10-28 點擊次數(shù)：988 次
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IGBT模塊的注意事項（二） 此外，在柵極—發(fā)射極間開路時，若在集電極與發(fā)射極間加上電壓，則隨著集電極電位的變化，由于集電極有漏電流流過，柵極電位升高，集電極則有電流流過。這時，如果集電極與發(fā)射極間存在高電壓，則有可能使IGBT模塊...發(fā)布時間：2014-10-15 點擊次數(shù)：892 次
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IGBT模塊的注意事項（一） 由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離。由于此氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達到20～30V。因此因靜電而導(dǎo)致柵極擊穿是IGBT模塊失效的常見原因之一。因此使用中...發(fā)布時間：2014-10-14 點擊次數(shù)：932 次
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BUSSMANN熔斷器的維護分享 低壓配電系統(tǒng)中熔斷器是起**保護作用的一種電器，BUSSMANN熔斷器廣泛應(yīng)用于電網(wǎng)保護和用電設(shè)備保護，當(dāng)電網(wǎng)或電設(shè)備發(fā)生短路故障或過載時，可自動切斷電路，避免電器設(shè)備損壞，防止事故蔓延。 BUS...發(fā)布時間：2014-09-28 點擊次數(shù)：932 次
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BUSSMANN熔斷器的安秒特性 BUSSMANN熔斷器的動作是靠熔體的熔斷來實現(xiàn)的，當(dāng)電流較大時，熔體熔斷所需的時間就較短。而電流較小時，熔體熔斷所需用的時間就較長，甚至不會熔斷。因此對熔體來說，其動作電流和動作時間特性即BUSSMA...發(fā)布時間：2014-09-26 點擊次數(shù)：877 次
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BUSSMANN熔斷器的工作原理 利用金屬導(dǎo)體作為熔體串聯(lián)于電路中，當(dāng)過載或短路電流通過熔體時，因其自身發(fā)熱而熔斷，從而分斷電路的一種電器。BUSSMANN熔斷器結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，廣泛用于電力系統(tǒng)、各種電工設(shè)備和家用電器中作為保護器...發(fā)布時間：2014-09-25 點擊次數(shù)：964 次
